http://giscounts.com/yunmu/251/

澳门银河关注互联网产品管理,交流产品设计、用户体验心得!

但这允许松弛膜的生长

时间:2019-05-03 14:21 来源:未知 作者:admin

  然而,无效地分层分歧的材料是一个挑战,由于晶格凡是不合错误齐。为领会决这个问题,研究人员采用了vdW力,这种现象基于电子的概率性质,而不是在核四周的固定位置。相反,它们能够在任何处所,而且它们将不服均分布的概率几乎不断具有。当发生这种环境时,会发生一个诱导偶极子:一侧有轻细的正电荷,另一侧有轻细的负电荷。这在中性原子之间发生弱吸引力的彼此感化。

  相反,材料的界面通过弱vdW力连结在一路。虽然两种材料的晶体布局具有光鲜明显分歧的原子间距差别为23%,但这答应败坏膜的发展。除了减轻晶格婚配的限制之外,vdW外延还答应Ge膜从云母概况机械剥离而且作为无衬底膜独立具有。

  锗是一种元素半导体,在电子器件的晚期汗青中,它在很大程度上被硅代替之前是首选材料。但因为其高电荷载流子迁徙率 - 比硅高三倍 - 半导体正在卷土重来。

  锗(Ge)凡是发展在高贵的单晶衬底上,这使得它在大大都使用中具有可持续的可行性。为领会决这个问题,美国伦斯勒理工学院的研究人员展现了一种外延方式,该方式连系范德瓦尔斯力在云母上发展Ge。使用可包罗先辈的集成电路和高效太阳能电池。

  “这是初次在云母上展现了元素半导体的无应变范德华外延,”RPI研究员,该论文的配合作者Aaron Littlejohn暗示,该论文比来颁发在使用物理杂志上,来自AIP Publishing。

  “我们的Ge薄膜能够用作薄膜纳米薄膜,能够比纳米晶体或纳米线更容易地集成到电子器件中,”Littlejohn说。“它还能够作为后续堆积用于柔性晶体管和太阳能电池,以至可穿戴光电子器件的附加材料的基板。”

  “先前的研究表白,元素半导体不克不及在任何高温下利用vdW力在云母上外延发展,但我们此刻曾经证了然这一点,”Littlejohn说。“跟着我们在现实温度下在云母上发展的Ge薄膜的成功,我们估计其他非层状元素或合金材料能够通过vdW外延发展在云母上。”

  在毫米级白云母基质上发展约80纳米厚的天竺葵薄膜。厚度为26毫米。通过在300-500摄氏度的堆积和退火过程中改变基板温度,研究人员发觉晶格不变在约425摄氏度。

  在晶体衬底(称为外延)上发展的晶体膜层在半导体系体例造中遍及具有。若是薄膜和基底材料不异,则完满婚配的层构成强化学键,以实现最佳的载流子迁徙率。

  研究人员选择云母作为发展Ge薄膜的基质,由于它具有原子级滑腻的概况,没有悬空键(不成对的价电子)。这确保了在vdW外延工艺期间不会发生化学键合。

  关注 互联网的一些事 官方微信,回复" 251 " 即可在微信里阅读本篇内容。

  在查找公众号中搜索:织梦58,或者扫描下方二维码快速关注。

围观: 9999次 | 责任编辑:admin

回到顶部
describe